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ISSCC2024|台积电讲述2.5D/3D集成电路设计,迎接CPO时代
台积电在ISSCC2024教程中探讨了5D和3D集成电路设计的基本原理 ，强调了协光电共封装（CPO）的出现 ，通过将光芯片、光互连与传统电子芯片无缝集成，彻底改变高性能计算的现状 。对性能 、功耗 、面积、成本和上市时间（PPACT）改进的追求推动了行业向先进封装解决方案发展 。
先进封装市场恐生变
1、目前来看 ，先进封装主要包括倒装(Flip Chip) 、凸块(Bumping) 、晶圆级封装(Wafer level package)、5D封装 、3D封装(TSV)等技术。
2 、再加上市场中不少投机者们大量囤货 ，炒作抬高芯片价格，夸张到需要有关部门出手处罚才得以消停 。然后就各种缺货行情持续上演，一直到现在 ，今天还有朋友在群里表示缺料急死了 。内卷(涨价)芯片即Money ，一颗芯片的诞生可以从设计、生产 、封装测试三步进行，芯片缺货最直接的结果就是涨价。
3 、趋势五：AI芯片关键在于成功整合软硬件 AI芯片的核心是半导体及算法。AI硬件主要是要求更快指令周期与低功耗 ，包括GPU、DSP 、ASIC 、FPGA和神经元芯片 ，且须与深度学习算法相结合，而成功相结合的关键在于先进的封装技术 。
先进封装杂谈——2.5D/3D先进封装
探索未来封装技术：5D与3D的革新之路 在电子行业不断发展的道路上 ，先进封装技术——5D和3D封装 ，扮演着至关重要的角色 。它们不仅提升了芯片的密度和速度，还影响着产品的成本与商业模式。让我们一同深入解析这两种封装技术的区别和特点 。
D和3D封装的主要区别在于 ，5D封装中 ，逻辑芯片与其他堆叠的内存部分并排位于Si中介层上，而3D封装中 ，逻辑芯片和内存部分直接堆叠在一起 。5D封装强调在Si中介层上的排列 ，而3D封装则更注重堆叠的高度。在5D和3D封装中，Si中介层是不可或缺的 。
D封装和3D封装是先进封装技术的扩展，它们通过中介层（如硅中介板）连接芯片与电路板 ，分别通过5D的中层结构和3D的垂直堆叠来解决尺寸和连接问题 。CoWoS技术 ，即Chip on Wafer on Substrate，是这两种封装的代表 ，通过将芯片堆叠和基板封装结合 ，减少空间占用，降低功耗。
