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半导体物理考点归纳(完整版)
在杂质和缺陷能级部分，我们需明确杂质的概念 ，区分替位式和间隙式杂质 ，并理解它们如何激活，影响半导体的导电类型和电阻率 。浅能级和深能级杂质的概念 ，以及它们在半导体中的作用 ，也是重要考点 。半导体中载流子的统计分布，包括状态密度、费米能级和载流子的统计分布 ，是理解载流子浓度的关键。
半导体物理与器件专业报考二建条件：报考人员具备半导体物理与器件专业中等专科及以上学历 ，同时从事建设工程项目施工管理工作满两年 。对于不符合学历要求或工作年限不满2年的，不予报考 。
半导体物理与器件笔记(二十七)——半导体表面态与表面电场效应
表面态的产生与半导体表面的悬挂键 、体缺陷或吸附的外来原子有关，分为体内表面态和表面特殊状态 ，如本征表面态与外诱表面态。表面电场效应则影响半导体的性能 ，如MIS结构在不同电压下的状态，包括多数载流子的堆积 、耗尽和少数载流子的反型现象 。
第七章 ，金半接触功函数和二极管电容效应 ，雪崩和齐纳击穿的温度效应，是理解器件工作的关键点 。技术与应用金半整流接触、扩散理论等技术细节 ，以及热电子发射 、SBD和欧姆接触的概念 ，展示了半导体在实际技术中的独特作用。
光 、热、磁效应的研究方法，与电效应是相通的 ，也是从载流子、能带 、温度 、杂质这几个方面去研究。看看采取什么措施能调控这些性质 ，能做出什么有用的器件 。1~12章的内容都是基于半导体晶体，因为我们日常所用的绝大部分半导体 ，都是晶态半导体 。但除此之外 ，还有一种特殊的半导体——非晶态半导体。
表面电导讨论了半导体表面层内沿平行于表面方向的电导问题 。表面电导取决于表面层内载流子的数量、迁移率，载流子数量及迁移率越大，表面电导也越大 。若在半导体层内存在电场而形成表面势Vs时 ，根据之前结果 ，表而层内载流子的数目将随表面势Vs的大小而改变，从而表面电导也随之改变。
p-n结理论研究了p-n结及其能带图 、p-n结电流电压特性 。金属-半导体接触理论涵盖了金-半接触 、能带及整流理论 ，以及欧姆接触 。半导体表面理论则关注表面态及表面电场效应 ，MIS结构电容-电压特性，以及硅-二氧化硅系统的性质。这些理论和概念是半导体专业的基础 ，对于理解和设计半导体器件至关重要 。
低温和电场如何影响半导体中的激子效应?
在半导体物理中 ，激子效应起着至关重要的角色，它影响着材料的光学性质和电子过程 。激子 ，即电子空穴对的库仑结合体 ，其状态受母体材料的电子能带特性和外部电场影响。自由激子可以被半导体中的杂质或缺陷中心束缚，形成束缚激子 ，其吸收谱线的能量位置通常低于自由激子 。
这种束缚能的大小直接影响自由激子与杂质结合形成发光中心的可能性 。激子效应对半导体的光学特性 ，如光吸收、发光 、激射和非线性光学效应，发挥着至关重要的作用，对半导体光电子器件的研发具有重要意义。在量子化的低维结构中 ，激子的束缚能显著增强 ，特别是在高温或电场条件下，它们表现得更为稳定。
在量子化的低维电子结构中 ，激子的束缚能显著增强 ，且在高温或电场影响下更为稳定 。在光谱分析中，除了可见的带间吸收外 ，还存在分立的激子吸收谱线 ，它们类似于氢原子的吸收谱，反映了电子和空穴之间的动态关系 。激子的能量状态与固体的介电性质和电子空穴的有效质量紧密相关。
